Silicon Carbide xanh dùng cho ứng dụng chất làm mờ – Độ tinh khiết của SiC
Yêu cầu kiểm soát tối thiểu: SiC ≥98,5% theo trọng lượng. Thông số kỹ thuật ưu tiên: SiC ≥99,0% để có hiệu suất làm mờ tia hồng ngoại ổn định hơn, đặc biệt là trong điều kiện làm việc ở nhiệt độ cao.
Giới hạn tạp chất chính đối với chất làm mờ
| Mục | Giới hạn tối đa | Mô tả rủi ro |
|---|---|---|
| Sắt(III) oxit (Fe₂O₃) | ≤0,15% | Gây ra các đốm đỏ dưới nhiệt độ cao, đẩy nhanh quá trình oxy hóa và làm hỏng các tấm cách nhiệt. |
| Carbon tự do (FC) | ≤0,30% | Cháy ở nhiệt độ trên 500℃, tạo ra các lỗ rỗng và làm giảm hiệu ứng làm mờ. |
| Silica tự do (SiO₂) | ≤0,70% | Sự chuyển pha ở nhiệt độ cao làm suy giảm độ bền và khả năng dẫn nhiệt của tấm ván. |
Ghi chú
- Nếu hàm lượng SiC dưới 98,5%, hàm lượng tạp chất cao hơn sẽ làm giảm hiệu quả hấp thụ tia hồng ngoại. Các pha tạp chất có xu hướng phản ứng ở nhiệt độ cao, dẫn đến hình thành các đốm, co ngót và tăng độ dẫn nhiệt của tấm cách nhiệt. Không nên sử dụng làm chất làm mờ .
- Silicon carbide xanh loại thông thường dùng để nghiền có thể đạt độ tinh khiết 99-99,5% SiC. Bột siêu mịn (thường là D50 1-5 μm dùng cho chất làm mờ) khó tinh chế hơn; 98,5% là ngưỡng tối thiểu chung trong ngành.
- Silicon carbide đen thường chỉ đạt độ tinh khiết 97-98,2% SiC, không đáp ứng yêu cầu về độ tinh khiết đối với chất làm mờ. Việc thay thế bằng silicon carbide đen không được khuyến khích.
